BSP322P L6327 全國供應商、價格、PDF資料

BSP322P L6327詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：1A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 380µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.5nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：372pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

• C200HW-BC101-V1

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    0805（2012 公制）    BACKPLANE 10 SLOT CPU

• C0805C105J3RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1UF 25V 5% X7R 0805

• 74SSTUB32865AZJBR

  邏輯 - 專用邏輯    Texas Instruments    160-BGA    IC REGSTR BUFF 28-56BIT 160NFBGA

• 74LVC1G02GF,132

  邏輯 - 柵極和逆變器    NXP Semiconductors    6-XFDFN    IC GATE NOR SGL 2INP 6-XSON

• BSP320S L6433

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223

• BQ24010EVM

  評估演示板和套件    Texas Instruments        EVAL MOD FOR BQ24010

• C0603C123K4RACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.012UF 16V 10% X7R 0603

• C2012X5R1C225M/1.25

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 2.2UF 16V 20% X5R 0805

• C200HW-BI031

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    0805（2012 公制）    BACKPLANE I/O EXPANSION 3 SLOT

• 74LVC1G02GV,125

  邏輯 - 柵極和逆變器    NXP Semiconductors    SC-74A，SOT-753    IC GATE NOR SGL 2INPUT 5TSOP

• 74SSTUB32865ZJBR

  邏輯 - 專用邏輯    Texas Instruments    160-TFBGA    IC REGISTERED BUFFER 160-TFBGA

• C0603C123K4RACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.012UF 16V 10% X7R 0603

• BQ24018DRCTG4

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    10-VFDFN 裸露焊盤    IC LI-ON LINEAR CHRG MGMT 10-SON

• C200HW-BI031

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    10-VFDFN 裸露焊盤    BACKPLANE I/O EXPANSION 3 SLOT

• C2012X5R1C225M/1.25

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 2.2UF 16V 20% X5R 0805